铁电场效晶体管装置及集成芯片

本实用新型实施例涉及一种铁电场效晶体管(FeFET)装置及集成芯片，铁电场效晶体管装置包括：铁电结构，包括铁电层及反铁电层；栅极结构，沿着所述反铁电层的第一面设置，使得所述反铁电层将所述栅极结构与所述铁电层隔开；氧化物半导体，沿着所述铁电层的第一面设置，使得所述铁电层将所述氧化物半导体与所述反铁电层隔开；源极区及漏极区，设置于所述氧化物半导体上，其中所述栅极结构在所述源极区与所述漏极区之间在所述反铁电层上在侧向上延伸；以及夹层，将所述铁电层与所述反铁电层隔开。