一种斩波半桥功率模块的封装体

本申请提供一种斩波半桥功率模块的封装体，包括：若干个功率半导体芯片设置于基板上，且若干个功率半导体芯片相对于基板的上表面的对称轴呈轴对称关系；漏极功率接线柱，连接至若干个金属氧化物半导体场效应管芯片的漏极，漏极功率接线柱设置于基板的上表面且相对于基板的上表面的对称轴呈轴对称关系；源极功率接线柱，连接至若干个金属氧化物半导体场效应管芯片的功率源极，源极功率接线柱设置于基板的上表面且相对于基板的上表面的对称轴呈轴对称关系；二极管功率接线柱，连接至若干个二极管芯片的阴极，二极管功率接线柱设置于基板的上表面且相对于基板的上表面的对称轴呈轴对称关系，能够有效降低主功率换流回路的寄生电感。