电感存储处理器堆叠封装结构及其制备方法

本发明公开了一种电感存储处理器堆叠封装结构及其制备方法，封装结构中的SOC芯片正面具有焊盘和第一电磁线圈，HBM芯片包括存储芯片及在存储芯片背面电性连接多层垂直堆叠的DRAM芯片；存储芯片正面形成导电凸块和第二电磁线圈；SOC芯片贴装在基板正面，SOC芯片正面朝上；HBM芯片叠在SOC芯片正面，第二电磁线圈对应第一电磁线圈位置；电磁感应区域不超过40μm；SOC芯片的焊盘与基板电性连接，HBM芯片的导电凸块与基板电性连接；塑封部塑封基板正面，至少覆盖SOC芯片、HBM芯片以及各电性连接部位。本发明提供了一种具有更高封装密度，提高电性能传输效率的电感存储处理器堆叠封装结构及其制备方法。