一种SiC功率器件芯片栅氧化层结构

本实用新型涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种SiC功率器件芯片栅氧化层结构，包括若干个相互并列的MOS元胞结构，所述MOS元胞底层表面欧姆连接有漏极，所述MOS元胞的顶层表面欧姆连接有金属源极；所述MOS元胞的内部嵌设有栅极；所述MOS元胞包括有衬底层、扩散层、P阱层以及N阱层，所述N阱层与扩散层之间通过P阱层隔绝，所述N阱层与金属源极欧姆接触，所述衬底层采用中间多量两侧少量的离子注入形成。本实用新型通过将栅极的氧化层设计呈两层，并且其中一层氧化层靠近N阱层区域进行加厚设计，这样在栅极接入栅极电压状态下，可以减少栅极因自身电场对N阱层内电荷影响，以此来抑制在N阱层内形成寄生电荷，这样可以有效减少该SiC功率器件的迟滞。