一种具有电流调制的半导体激光芯片及制备方法

本发明提出了一种具有电流调制的半导体激光芯片及制备方法，涉及半导体激光芯片芯片领域，由下至上依次堆叠的衬底层、n型限制层、n型波导层、量子阱有源区、p型波导层、第一p型限制层、第二p型限制层以及接触层，抗反射腔面与高反射腔面设置于第二p型限制层的相对两侧，功能区设置于抗反射腔面与高反射腔面之间，功能区包括电流注入子区和电流阻挡子区，电流注入子区具有多个注入尖端，电流阻挡子区具有多个阻挡尖端，注入尖端设置于任意两个相邻的阻挡尖端之间；第一p型限制层开设的两条沟槽贯穿第二p型限制层和接触层，两条沟槽位于电流注入子区和电流阻挡子区的相对两侧。本申请有助于提升半导体激光芯片的出光功率和光束质量。