一种氮化镓基外延结构及制备方法

本发明涉及半导体器件技术领域，提供了一种氮化镓基外延结构及制备方法。所述氮化镓基外延结构包括：表面具有金字塔形纳米结构的Si衬底、石墨烯层、高温AlN起始层、阶梯式AlxGa1‑xN缓冲层、N型GaN有源层、阶梯式AlyGaN势垒层、电子阻挡层、P型GaN接触层及钝化层。本发明通过结构化Si衬底与石墨烯层协同作用，结合阶梯式缓冲层和势垒层设计，有效缓解晶格失配应力，降低位错密度，提升载流子迁移率和器件击穿电压，增强高温工作稳定性，适用于高频、高功率半导体器件应用。