一种紫外LED外延片及其制备方法、LED芯片、发光装置

本发明提供一种紫外LED外延片及其制备方法、LED芯片、发光装置，涉及电子元器件技术领域，所述紫外LED外延片包括：衬底，以及依次层叠于所述衬底之上的N型层、多量子阱层、P型层；所述多量子阱层包括改性石墨烯层和ZnO量子阱层、以及ZnO量子垒层；所述改性石墨烯层为经过等离子体处理的石墨烯层，所述等离子体处理的气体为氧气，本发明能够解决已有技术中由于ZnO材料中存在较多的缺陷和杂质能级，影响辐射发光效率的问题。