一种LED芯片及其制作方法

本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，通过将DBR反射镜生长在第二型半导体层与过渡层之间，蚀刻所述DBR反射镜使其具有多个开口以裸露所述外延叠层的部分第二表面，如此即可获得到图形化的DBR反射镜，从而将射向所述第二型半导体层的光通过DBR反射镜进行反射后从第一型半导体层一侧出射，藉以获得反极性结构；同时，通过所述开口和过渡层的设置，在确保所述DBR反射镜到所述电流扩展层的晶格和/或带隙的过渡的同时，所述第二型半导体层与电流扩展层的接触不受阻碍，进而可较好地实现电流扩散，从而保证LED的电性要求。也即，本申请通过在外延端实现上述有益效果，进而可使LED芯片在保证LED的电性要求的同时，具有较高的出光效率。尤其适用高功率LED和小尺寸(如Mini、Micro)LED。