一种耐高温双向可控硅结构

本发明公开了一种耐高温双向可控硅结构，包括P型外延层，P型外延层的中部形成有两第一N型well掺杂类型阱区,且两第一N型well掺杂类型阱区间隔设置,以将P型外延层分隔为第一外延层区域、第二外延层区域和第三外延层区域；第一外延层区域上的注入区内提供有第一P型高压掺杂类型阱区，第一P型高压掺杂类型阱区上的注入区内提供有第一P型well掺杂类型阱区，第一P型well掺杂类型阱区的顶端提供有第一P型重掺杂有源区和第一N型重掺杂有源区，且第一P型重掺杂有源区和第一N型重掺杂有源区被隔离设置。本发明通过在基区开槽的设计将ESD泄放路径调整到了芯片更深层次，有利于其散热，降低了其高温下的电流泄放衰减程度。