一种LED芯片结构及其制备方法

本公开涉及LED芯片技术领域，尤其涉及一种LED芯片结构以及制备方法。本公开提供了一种LED芯片结构及其制备方法，其中，所述结构包括：衬底，以及位于衬底上的依次堆叠的成核层、缓冲层和n型GaN层；位于n型GaN层上的隔离层；贯穿隔离层的纳米柱阵列，其中，纳米柱阵列包括多个呈阵列排布的纳米柱单元，每个纳米柱单元包括多个不同直径的纳米柱。本公开通过在LED芯片上形成纳米柱阵列，因为纳米柱阵列包含多种不同直径的纳米柱，能够实现不同波长的光的发射，因此能够实现LED芯片的高像素、高光效的全色显示；并且因为在LED芯片上集成了全色显示，因此避免了传统LED显示制造所用的巨量转移与键合技术，大幅提高了LED芯片良率并显著降低了制造成本。