基于伴随梯度的亚分辨辅助图形添加方法及掩模版

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基于伴随梯度的亚分辨辅助图形添加方法及掩模版
申请号:CN202510333643
申请日期:2025-03-20
公开号:CN120044745A
公开日期:2025-05-27
类型:发明专利
摘要
本公开提供一种基于伴随梯度的亚分辨辅助图形添加方法及掩模版,涉及半导体制造技术领域,方法包括:基于超分辨光刻模型对设计版图进行正向仿真,在超分辨光刻模型的光刻胶层获得成像电场分布和成像光强分布;根据成像电场分布和成像光强分布进行伴随仿真,在超分辨光刻模型的掩模层获得伴随电场分布;根据伴随电场分布获得伴随梯度;根据伴随梯度确定设计版图中亚分辨辅助图形的添加位置;在设计版图中的添加位置处添加亚分辨辅助图形,得到含有目标图形和亚分辨辅助图形的掩模版图。
技术关键词
伴随电场 超分辨光刻 光刻胶层 多层膜结构 掩模版图 金属反射层 成像 间隔层 光强 光刻模型 数据分布 层叠 基底 光刻胶图形 空气 尺寸
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