摘要
本发明涉及一种衬底集成、自组装、自对准微透镜组的制备方法,属于光芯片的微纳加工技术领域。所述方法,在完成正面外延结构并减薄抛光后,在晶圆背面进行二次外延并制作种子层,通过S‑K生长法依次生长一层浸润层和一层透镜层,最终在晶圆背面交替生长N个浸润层和N个透镜层,形成外延结构;将形成的外延结构进行自上而下刻蚀,直至刻蚀深度覆盖所有浸润层,形成刻蚀窗口;腐蚀形成的刻蚀窗口内及周围的浸润层,只留下透镜层,并在之间填充透明的材料进行加固。本发明基于S‑K生长,使得微透镜组的实际制备在外延生长阶段就一步到位,省去生产流转过程中多各环节积累的误差、污染等不利因素,精度和良率得到充分保证。
技术关键词
微透镜
外延结构
衬底
种子层
InP晶格常数
光芯片
刻蚀深度
纳米压印方法
区域生长方法
湿法腐蚀工艺
干法刻蚀工艺
全息光刻
有源区
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模式
抛光
尺寸
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