一种衬底集成、自组装、自对准微透镜组的制备方法

AITNT
正文
推荐专利
一种衬底集成、自组装、自对准微透镜组的制备方法
申请号:CN202510279836
申请日期:2025-03-11
公开号:CN119805632B
公开日期:2025-06-03
类型:发明专利
摘要
本发明涉及一种衬底集成、自组装、自对准微透镜组的制备方法,属于光芯片的微纳加工技术领域。所述方法,在完成正面外延结构并减薄抛光后,在晶圆背面进行二次外延并制作种子层,通过S‑K生长法依次生长一层浸润层和一层透镜层,最终在晶圆背面交替生长N个浸润层和N个透镜层,形成外延结构;将形成的外延结构进行自上而下刻蚀,直至刻蚀深度覆盖所有浸润层,形成刻蚀窗口;腐蚀形成的刻蚀窗口内及周围的浸润层,只留下透镜层,并在之间填充透明的材料进行加固。本发明基于S‑K生长,使得微透镜组的实际制备在外延生长阶段就一步到位,省去生产流转过程中多各环节积累的误差、污染等不利因素,精度和良率得到充分保证。
技术关键词
微透镜 外延结构 衬底 种子层 InP晶格常数 光芯片 刻蚀深度 纳米压印方法 区域生长方法 湿法腐蚀工艺 干法刻蚀工艺 全息光刻 有源区 非选择性 模式 抛光 尺寸
系统为您推荐了相关专利信息
1
具有PAD保护层的LED芯片
芯片 包裹 外延 内电极 物理
2
半导体结构的制造方法、半导体结构、芯片和电子设备
掺杂区 半导体结构 接触区 超结金属氧化物半导体场效应晶体管 导电
3
一种半导体结构的制备方法
连线层 芯片结构 半导体结构 衬底 重布线层
4
一种基于高阶线性常微分方程的微透镜阵列球差修正方法
元素图像阵列 修正方法 数值求解算法 微透镜阵列 线性
5
一种单片集成MEMS微差压芯片及制备方法
介质隔离结构 SOI硅片 单片 光刻 氧化层
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号