一种单片集成MEMS微差压芯片及制备方法

本发明提供一种单片集成MEMS微差压芯片它包括在第一SOI硅片上设有若干第一注入区（10）、第二注入区（11）、全介质隔离结构（6）、集电区（8）、基区（9），发射区（7）和埋层（1），在第二注入区（11）、集电区（8）、基区（9）和发射区（7）上均设有对应配合的金属引线（13），在第一SOI硅片上连接有第二双抛硅片(5)，通过光刻、注入、退火、刻蚀、成膜、溅射工艺制备单片集成MEMS微差压芯片。本发明具有结构简单、制备方便等有待你为制造高性能、高可靠性的MEMS压力芯片提供了高效且经济的解决方案。