摘要
呈现一种用于校正光掩模的方法,其包括接收半导体装置的目标设计布局。该方法包括由处理器通过将基于目标设计布局的掩模布局的光学特征值、几何特征值和抗蚀剂特征值输入到第一机器学习模型中来推断掩模偏差。处理器通过将掩模偏差并入掩模布局中来生成预测图案,将预测图案与目标设计布局进行比较,并且然后基于预测图案与目标设计布局之间的比较结果来校正掩模布局。
技术关键词
边缘放置误差
光学特征值
机器学习模型
半导体装置
校正光掩模
图案
处理器
偏差
校正掩模布局
光致抗蚀剂
图像对数斜率
阻尼参数
生成光掩模
数据
蚀刻工艺
光刻工艺
系统为您推荐了相关专利信息
剩余电流监控
智能网络
波动特征
剩余电流传感器
预警方法
火药颗粒
监测预警系统
烟花爆竹
压实度
累积分布函数
压电变压器
构建机器学习模型
频率调谐
神经网络模型
采集运行数据
数据治理方法
数据治理系统
数据存储模块
数据访问权限
机器学习模型