超晶格红外焦平面探测器制备方法及其下电极制作装置

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正文
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超晶格红外焦平面探测器制备方法及其下电极制作装置
申请号:CN202411569808
申请日期:2024-11-06
公开号:CN119101870B
公开日期:2025-01-24
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种超晶格红外焦平面探测器制备方法及其下电极制作装置,属于超晶格红外探测器制备技术领域;解决了采用电子束蒸发方法制备的红外探测器焦平面下电极爬坡效果差的问题;包括放置在电子束蒸发台内的晶圆载盘、晶圆夹具和蒸发源坩埚,所述晶圆夹具包括平台和立杆,所述平台的一端与晶圆载盘转动连接,使得平台与晶圆载盘之间的夹角可调,所述平台的另一端通过立杆与晶圆载盘相连,所述立杆垂直于晶圆载盘;平台的外表面上用于放置不同尺寸的晶圆;晶圆载盘的下方放置有蒸发源坩埚,通过蒸发源坩埚将电子束源蒸气沉积至晶圆表面;本发明应用于红外探测器制备。
技术关键词
红外焦平面探测器 电极制作装置 晶圆夹具 晶圆载盘 电子束 超晶格红外探测器 分子束外延工艺 等离子刻蚀工艺 夹角可调 倒装焊接工艺 坩埚 调节平台 焦平面芯片 读出电路 超晶格材料 扫描电子显微镜 外延片 类超晶格
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