一种半导体激光芯片的腔面钝化方法

本发明提供了一种半导体激光芯片的腔面钝化方法，通过选择不同材料的前腔面钝化膜、后腔面钝化膜，并选择不同的工艺腔室、工艺条件生长前腔面钝化膜、后腔面钝化膜，既可以满足前腔面钝化膜带隙宽、吸收系数小、耐高温、与衬底附着性好，以及光线从前腔面钝化膜行进至前腔面光学膜界面损耗小、在高功率光出射时前腔面钝化膜结构稳定不被光分解的要求，也可以满足后腔面钝化膜热传导性高、应力小与后腔面光学膜应力匹配性好的要求。