一种单片集成波长可调谐量子点芯片及其制备方法

本申请涉及一种单片集成波长可调谐量子点芯片及其制备方法。该芯片包括自下而上依次设置的衬底、缓冲层、布拉格反射层、量子点层、盖层和波长调节层；其中，所述波长调节层包括二氧化硅薄膜层和掺锡氧化铟薄膜层，所述二氧化硅薄膜层和所述掺锡氧化铟薄膜层的宽度均小于所述盖层宽度的二分之一，所述二氧化硅薄膜层和所述掺锡氧化铟薄膜层分别设置于所述盖层的两端。基于上述结构，能够拓宽量子点芯片的波长范围，且能够实现量子点发光波长的精准调节，同时芯片结构集成度较高，降低了制备工艺难度和成本。