高频降噪的变截面阵列结构

本实用新型提出一种高频降噪的变截面阵列结构，包含两个互为对称的第一结构单片和第二结构单片，每个结构单片均为变截面结构，通过四层变截面阵列，在通道四周形成栅栏状结构，使其获得多次截面突变。两个结构单片以凹凸结合的方式相连接，连接时保证每层扩张腔在四个转角处相通。本实用新型针对MEMS扬声器在特定超声频率处产生尖锐的噪声，影响芯片兼容性的问题，利用变截面阻抗变化消声特性，通过变截面阵列方式，在不影响其他频段声波传播的情况下，达到特定频率下的降噪效果。