一种单光子雪崩二极管器件和tof接收芯片

本申请涉及SPAD领域，公开了一种单光子雪崩二极管器件和tof接收芯片，包括：衬底和位于衬底上方的外延片；在外延片上方沿着外延片厚度方向向下延伸的第一P型掺杂区、第一N型掺杂区和第二N型掺杂区，其中，第一N型掺杂区围绕在第二N型掺杂区周围，第一P型掺杂区围绕在第一N型掺杂区周围，第一P型掺杂区和第一N型掺杂区形成PN结；位于外延片上方的P型隔离区；位于衬底背离外延片一侧的微透镜。本申请中PN结是纵向的，也即雪崩区域为垂直的，可以通过增加PN结的延伸深度来增大雪崩击穿面积，从而增大光子探测效率，同时可以有效避免边缘击穿以及暗电流过大的情况的出现。