半导体器件及其制备方法、电子设备

本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决半导体器件电子迁移率低及开关效率较低的问题。该半导体器件包括：衬底和在衬底的一侧依次设置的沟道层、势垒层和Ⅲ族氮化物层；该半导体器件还包括：第一极、第二极及位于第一极和第二极之间的栅极；Ⅲ族氮化物层包括：第一P型掺杂部的至少部分和本征部，栅极位于第一P型掺杂部远离衬底的一侧，第一极和第二极位于沟道层远离衬底的一侧；本征部包括：位于第一极和栅极之间的第一部，及位于第二极和栅极之间的第二部。上述半导体器件应用于功率器件中。