摘要
本发明提供一种具有电位感测功能的IGBT芯片,可以获得到与IGBT集电极电压变化趋势相同的电位,及时反馈的同时,不额外增加器件的面积。感测区域采用与IGBT元胞区同一套工艺流程,感测结构与原器件的兼容性好,不需要额外的检测电路,可以减小整体面积,降低功耗成本。
技术关键词
欧姆接触区
多晶硅电极
半导体衬底
沟槽结构
载流子阻挡层
金属电极
多晶硅栅电极
芯片
过渡区结构
介质
感测结构
栅氧化层
功率
氮化镓
单晶硅
电压
碳化硅
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半导体衬底
MEMS器件
结构单元
焊盘组
电子装置
深沟槽结构
芯片封装结构
电感
输入输出接口
电源
参数测量方法
微结构
RANSAC算法
待测对象
离群点