一种具有电位感测功能的IGBT芯片

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一种具有电位感测功能的IGBT芯片
申请号:CN202510225182
申请日期:2025-02-27
公开号:CN120152314A
公开日期:2025-06-13
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种具有电位感测功能的IGBT芯片,可以获得到与IGBT集电极电压变化趋势相同的电位,及时反馈的同时,不额外增加器件的面积。感测区域采用与IGBT元胞区同一套工艺流程,感测结构与原器件的兼容性好,不需要额外的检测电路,可以减小整体面积,降低功耗成本。
技术关键词
欧姆接触区 多晶硅电极 半导体衬底 沟槽结构 载流子阻挡层 金属电极 多晶硅栅电极 芯片 过渡区结构 介质 感测结构 栅氧化层 功率 氮化镓 单晶硅 电压 碳化硅
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