功率芯片的封装结构

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功率芯片的封装结构
申请号:CN202421748104
申请日期:2024-07-23
公开号:CN222927476U
公开日期:2025-05-30
类型:实用新型专利
摘要
本申请公开了一种功率芯片的封装结构,其包括基底、层叠结构体、导线以及封装层,层叠结构体设置于基底沿第一方向的一侧,层叠结构体包括层叠设置的散热层、转接层以及裸芯片,散热层设置于裸芯片朝向基底的一侧,裸芯片、散热层以及基底之间通过转接层相固定,导线连接裸芯片以及基底,封装层用于封装层叠结构体、导线以及部分基底。其中,散热层沿第二方向的热导率大于转接层沿第二方向的热导率,第二方向与第一方向相交。本申请实施例中的功率芯片的封装结构,能够显著提升功率芯片的散热效率,改善功率芯片的结温和热阻。
技术关键词
功率芯片 层叠结构体 封装结构 散热层 基底 金刚石 导线 热沉 热阻 错位 通孔
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