芯片保护膜

本实用新型涉及一种芯片保护膜，该芯片保护膜由导电膜、导电传导膜、抗静电保护膜和导电粘接膜叠加复合构成，抗静电保护膜呈网格状结构，网格状抗静电保护膜一面复合在导电传导膜上，导电传导膜复合在导电膜上，网格状抗静电保护膜另一面为导电粘接膜。优点：抗静电保护膜为网格状结构时，使被包装的芯片表面形成导电层，进而降低了芯片表面电阻率，使芯片在包装、运输、撕膜时所产生的静电迅速导入泄漏，确保芯片内部结构不被静电损坏；二是高分子树脂导电球依次相触排列构成的网格状抗静电保护膜，使网格状抗静电保护膜与芯片之形成的是多点接触，不仅接触面小，静电导出由于出路多、导出快，而且由多个高分子树脂导电球构成的导电链路之间由于导电球与导电球之间相切形成V字凹槽相互贯通，因而空气流通性好，确保芯片运输过程中空气的流通性和温度的相对稳定性，进而确保芯片的运输安全。