一种差分式MEMS光纤差压传感器芯片及其制造方法

本公开涉及一种差分式MEMS光纤差压传感器芯片及其制造方法。该差分式MEMS光纤差压传感器芯片包括：第一压力敏感结构，第二压力敏感结构，中间敏感层结构，第一光纤准直器对，第二光纤准直器对；中间敏感层结构被设置在第一压力敏感结构的底表面与第二压力敏感结构的底表面之间；中间敏感层结构被设置成分隔第一光纤准直器对与第二光纤准直器对，并且被构造成支撑第一压力敏感结构与第二压力敏感结构并且减小中间敏感层结构的刚度。此外，本公开还提供了一种差分式MEMS光纤差压传感器芯片的制造方法。本公开所提供的差分式MEMS光纤差压传感器芯片其结构巧妙、可批量化生产，具有探头无源、抗电磁干扰、可远距离传输以及可在恶劣环境下工作等优点。