一种基于2nm及以下超薄芯片的封装结构

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一种基于2nm及以下超薄芯片的封装结构
申请号:CN202422583536
申请日期:2024-10-24
公开号:CN223462216U
公开日期:2025-10-21
类型:实用新型专利
摘要
本实用新型公开了一种基于2nm及以下超薄芯片的封装结构,通过竖向金属柱的设置,能够作为电气连接通道,可以增大电流传输的截面积,实现大电流的封装需求;也能够作为热传导路径,提高散热效率。通过在基板上设置转接板,并倒装连接有2nm及以下厚度的第一芯片,实现了更小的封装高度和尺寸。第一芯片以倒装的方式连接在转接板上,使得第一芯片的背面朝上,能够配合横向金属块、导电材料层组成导电网络实现晶背供电,可以缩短供电路径,减少电阻,从而显著降低IR压降,提高供电效率。基板在来料时已经根长有一体成型的竖向金属柱,减少了组装过程中的焊接和连接步骤,从而提高了生产效率,适用于对生产效率具有高要求的生产厂商。
技术关键词
封装结构 芯片安装区域 金属触点 转接板 超薄芯片 焊点 导电胶层 一体成型结构 焊球 封装基板 大电流 空隙 热传导 电气 电阻 正面 网络
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