降低续流损耗的SiC器件

降低续流损耗的SiC器件，涉及半导体技术领域。通过在间隔排布的P‑body区和SiC Drift层之间形成的JFET区上，刻蚀形成平台区，并在上表面离子注入形成P+区，制备肖特基接触后实现了内部集成JBS二极管，在不过多增加芯片面积的同时减小了续流损耗。并且此设计还减小了栅极处Poly层和栅氧化层与SiC Drift层的耦合面积，从而减小了器件的栅漏寄生电容Cgd，提高了器件的开关性能，减小开关损耗。