摘要
本申请提供一种肖特基层结构、芯片以及二极管,包括主体段和外延段,所述主体段和所述外延段一体构造为“π”形结构。本申请一种肖特基层结构,重新设计一种“π”形结构的肖特基层,使其边缘延长,不仅可保护势垒区最薄弱且容易击穿的地方,而且还能保证其主体段的整流效果。本申请还提出的具有该肖特基层结构的芯片,使得该肖特基层的边缘端延长至沟槽的中线位置处,从而可保护势垒区最薄弱的边缘位置,提高芯片质量且保证其性能参数。
技术关键词
肖特基
芯片
外延片
二极管
沟槽宽度
沟槽深度
PN结
直线段
氧化层
曲面
弯曲
正面
系统为您推荐了相关专利信息
多口充电器
调压模块
输出模块
供电模块
主控芯片
晶圆
背照式图像传感器
边缘轮廓
后续工艺
机械抛光
无线充电功能
RJ45接口
降压芯片
电源管理芯片
充电管理模块
桥梁超重检测
功率器件
数据分析模块
电阻
报警控制模块