一种超薄型封装器件

本实用新型公开了一种超薄型封装器件，所述封装器件包括：平面导电功率芯片、垂直导电功率芯片、第一导线再分布层、第二导线再分布层、第三导线再分布层；所述平面导电功率芯片和所述垂直导电功率芯片设置在所述第一导线再分布层上，且所述平面导电功率芯片和垂直导电功率芯片基于所述第二导线再分布层与所述第三导线再分布层连接；所述第三导线再分布层配置为所述超薄型封装器件的焊盘引脚。通过设置三层导线再分布层调整封装器件内的芯片电极以及器件焊盘之间的电性连接路径，使得整体封装器件结构紧凑，并基于扇出电极提高封装器件的散热效果，同时满足高功率器件内部芯片之间的高压爬电距离的需求。