一种低寄生电感的三相智能集成模块

本实用新型为解决现有的三相功率模块中MOSFET芯片的栅极与控制芯片的线路距离过长的问题；提供一种低寄生电感的三相智能集成模块，包括功率层，功率层包括底板以及若干MOSFET芯片，MOSFET芯片焊接设置于底板上；还包括驱动层，驱动层对应设置于底板上方，MOSFET芯片位于底板与驱动层之间的区域；驱动层与底板之间设置有若干用于电连接的第一引线柱；第一引线柱的一端焊接设置于底板上，与底板上的MOSFET芯片电连接；第一引线柱的另一端穿过驱动层上对应的定位孔，并于驱动层之间焊接固定；驱动层上设置有与MOSFET芯片的数量和位置对应的驱动芯片，驱动芯片与引线孔电连接；使得驱动层上的驱动芯片与各自对应的MOSFET芯片之间的距离最短，以减小MOSFET芯片栅极的寄生电感。