半导体测试结构和半导体器件结构

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半导体测试结构和半导体器件结构
申请号:CN202422920561
申请日期:2024-11-28
公开号:CN223598723U
公开日期:2025-11-25
类型:实用新型专利
摘要
本实用新型涉及一种半导体测试结构和半导体器件结构,涉及半导体领域。本实用新型提供的半导体测试结构用于对有源区进行测试,半导体测试结构包括:基底;栅极组,配置于基底,栅极组包括多个栅极结构,多个栅极结构排列设置;以及导电组,配置于基底,导电组包括第一导电部和第二导电部,第一导电部用于连接有源区的第一端和测试机的第一端,第二导电部用于连接有源区的第二端和测试机的第二端。栅极结构会对有源区的电阻值产生影响,导电组同时连接有源区和测试机,通过测试机对有源区进行电阻值测试时,能够根据测得的电阻值判断有源区的受影响程度,能够判断PSE健康度,进而优化芯片设计和制造过程。
技术关键词
半导体测试结构 栅极结构 半导体器件结构 有源区 测试机 导电触点 基底 电阻值 掺杂区 导电件 芯片 介质 间距
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