一种高集成度砷化镓S波段接收多功能芯片

本申请提供一种高集成度砷化镓S波段接收多功能芯片，包括：依次连接的低噪声放大电路、数控衰减电路、数控移相电路、增益调节电路、驱动放大电路以及开关电路；芯片沿长度方向划分为第一区域、第二区域及第三区域；低噪声放大电路及数控衰减电路沿芯片的宽度方向设置于第一区域，低噪声放大电路与芯片输入端相连；数控移相电路单独设置于第二区域；增益调节电路、驱动放大电路及开关电路沿芯片的宽度方向设于第三区域，第三区域设有与开关电路相连的芯片输出端。本方案极大地减小了电路的尺寸，降低装配难度，提高电路的可靠性，有益于射频微波组件小型化、轻型化、集成化和低成本化的需求。