半导体装置

半导体装置(1)在俯视时为第一方向的边长为第二方向的边长以上的矩形，在包含在第一区域(A1)中的位置具备呈条状配置的、第一纵型MOS晶体管(10)的2n+1个沿第二方向延伸的长圆形的第一源极焊盘(111)，在包含在第二区域(A2)中的位置具备呈条状配置的、第二纵型MOS晶体管(20)的2n+1个沿第二方向延伸的长圆形的第二源极焊盘(121)，2n+1个第一源极焊盘(111)中的最靠近第一区域(A1)与第二区域(A2)的边界线(90)的第一源极焊盘(111a)比其他第一源极焊盘(111)长，2n+1个第二源极焊盘(121)中的最靠近边界线(90)的第二源极焊盘(121a)比其他第二源极焊盘(121)长。