半导体动态电容测试系统

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半导体动态电容测试系统
申请号:CN202510007448
申请日期:2025-01-03
公开号:CN119395392B
公开日期:2025-06-03
类型:发明专利
摘要
一种半导体动态电容测试系统,属于半导体器件特性测量技术领域。本发明针对现有半导体器件动态电容测试平台线性度差的问题。包括:通过控制器产生温度控制信号目标值和检测控制使能电压信号;通过温度控制模块使检测平台达到温度控制信号目标值;通过集成化检测前级接口电路采用集成电路芯片根据检测控制使能电压信号产生参考直流电压信号和目标正弦电压信号并加载到待测电容两端;所述待测电容设置在检测平台上;同时通过集成化检测前级接口电路采集待测电容两端的电压波形,并对电压波形进行处理得到电容测量值。本发明用于半导体动态电容测试。
技术关键词
动态电容 待测电容 信号 温度控制模块 电压 检测平台 半导体 功率驱动模块 可变电阻 输出端 波形 PID控制器 集成电路芯片 人机交互模块 输入端 谐振
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