摘要
本发明公开了一种套刻标记放置方法,包括:步骤一、确定曝光区域中晶粒的分布结构。步骤二、根据晶粒的分布结构对各晶粒进行格点划分得到各晶粒的格点区域。步骤三、根据工艺层对光罩进行分组。步骤四、在各组工艺层对应的光罩的晶粒中选定多个格点区域作为标记放置区域并在标记放置区域中放置器件区域内套刻标记,晶粒对应的器件区域内套刻标记的排列和数量满足套刻误差的高阶补偿要求。本发明能准确模拟计算器件区域的高阶修正套刻误差的补值,从而能防止对曝光区域内部套刻误差的高阶补偿参数产生误补偿,提高产品特别是大尺寸晶粒产品的良率。
技术关键词
标记放置
套刻误差
尺寸
套刻标记
密封环
光罩
芯片
坐标
参数
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