存储芯片、芯片堆叠结构和半导体器件

本公开实施例公开了一种存储芯片、芯片堆叠结构和半导体器件。该存储芯片包括：衬底；标准导电通孔，沿第三方向贯穿衬底且位于中心轴线上；接触结构，沿第三方向贯穿存储芯片的顶表面且位于中心轴线上；重布线层，设置于标准导电通孔与接触结构之间，重布线层包括第一节点和第二节点；奇偶判断电路，通过第一节点与标准导电通孔进行电连接，通过第二节点与接触结构进行电连接，并在处于有效电平的奇偶使能信号从第一节点输入时，将奇偶使能信号延迟后输出至第二节点，并生成处于第一电平的奇偶标志信号，在处于有效电平的奇偶使能信号从第二节点输入时，将奇偶使能信号延迟后输出至第一节点，并生成处于第二电平的奇偶标志信号。