一种LSI芯片封装结构的成形工艺

本发明公开了一种LSI芯片封装结构的成形工艺，属于半导体封装技术领域。其工艺如下：制作LSI芯片单体；制作带有低密度铜柱的第一假芯片单体；制作带有高密度铜柱的第二假芯片单体；LSI芯片单体、第一假芯片单体、第二假芯片单体依次正装到载体(400)并形成第一塑封体(301)；通过减薄工艺，平行削减第一塑封体(301)，其正面和背面分别形成第一再布线金属层(510)和第二再布线金属层(530)。本发明提供了多种金属柱结构密度集于一体的设计结构，满足产品多方位的设计需求。