先进电容纳米机电芯片第二代强力单元与反推力系统

本申请涉及纳机电（NEMS）的技术领域，公开一种先进电容纳米机电芯片第二代强力单元与反推力系统，包括侧面支柱、振膜和衬底，振膜固定于侧面支柱上；侧面支柱固定于衬底上；振膜位于衬底上方，且振膜和衬底之间设置有空腔；振膜的下方位于空腔内依次设置有第一振膜托结构和第二振膜托结构，用于支撑振膜。在振膜下方增加2层振膜托结构，从而增加了2个弹性力，即通过5力平衡，3个向上的弹性力和1个向下的静电力，以及1个重力，提高空间利用率CU。通过纳米机电芯片（CNUT）解决在传播介质中大声压收发超声的问题，本质是解决了高发射电压和超过结构设计极限的矛盾问题。