一种基于硅基3C-SiC的单片异质集成结构及其制备方法

本发明提供一种基于硅基3C‑SiC的单片异质集成结构及其制备方法，上述集成结构中3C‑SiC层设于顶部硅层上；顶部硅层依次设有第一功能区、第二功能区、第三功能区、第四功能区和第五功能区；3C‑SiC层依次设有第一子3C‑SiC层、第二子3C‑SiC层和第三子3C‑SiC层；第一功能区用于形成硅光器件；第一子3C‑SiC层、第二子3C‑SiC层和第三子3C‑SiC层分别与第二功能区、第三功能区和第四功能区对应设置，分别用于设置光电器件、射频器件和功率器件；第五功能区用于设置MEMS器件，以构建形成多器件异质集成结构。该集成结构适合集成多元材料；改进了集成芯片的热管理能力，实现了单片集成的串扰隔离设计，能够根据不同的应用场景实现多种器件或模块集成。