一种存储芯片中稀疏失效单元的修复方法

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一种存储芯片中稀疏失效单元的修复方法
申请号:CN202510021916
申请日期:2025-01-07
公开号:CN119446241B
公开日期:2025-04-22
类型:发明专利
摘要
本发明涉及芯片测试技术领域,具体公开了一种存储芯片中稀疏失效单元的修复方法,包括:步骤1:芯片测试机运行测试程序,获取存储芯片整体的失效单元电路信息;首先分配预设区域的失效单元电路的修复方案,并将剩余的稀疏失效单元电路存储到哈希表数据结构中;步骤2:获取步骤1中得到所有存储芯片的失效单元电路信息,构建失效单元集合的邻接矩阵;步骤3:根据步骤2得到的邻接矩阵,对失效单元电路分配修复方案;步骤4:重复步骤2‑步骤3,直至集合中所有数据被清空,获得整个存储芯片的修复方案。本发明可以使得备用电路的使用量能够得到有效减少,提高产品良率。
技术关键词
存储芯片 修复方法 电路 矩阵 芯片测试机 坐标 芯片测试技术 数值 哈希表 Y轴 有效率 良率 数据 节点
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