光芯片结构及其制备方法、电子设备

本公开涉及一种光芯片结构及其制备方法、电子设备，包括：衬底；介质层，位于衬底上；多层金属结构，位于介质层上，多层金属结构的最上层为金属阻挡层；光反射层，位于金属阻挡层上；氧化层，位于光反射层上；阻挡层，位于目标通孔的侧壁上，目标通孔形成于氧化层、光反射层和金属阻挡层内，目标通孔于氧化层的顶部形成开口，目标通孔沿垂直衬底的方向贯穿氧化层、光反射层并暴露出部分金属阻挡层；金属填充层，位于阻挡层上，并填充目标通孔。本公开至少能够避免金属扩散至通孔中，避免电阻增大，进而对光芯片的电性数据和良品率造成影响。