一种高压二极管的封装结构及其封装工艺

本发明公开了一种高压二极管的封装结构及其封装工艺，该工艺包括以下步骤：芯片包封：将正面刷有胶层A的芯片放置在基板上，在基板上使用包封料包封芯片，研磨包封面直至暴露出胶层A的顶面，并在研磨面相应位置垂直钻孔；电性连接：在钻孔内电镀填充立柱A，并在研磨面水平平铺电镀设置布线层A，布线层A与芯片正面胶层A顶面接触，布线层A的一端与立柱A电性连接，在研磨面继续使用包封料包封立柱A和布线层A，包封料固化后从基板上剥离整体并上下翻转重新放置在基板上，芯片背面暴露；电性引出：在翻转后的包封面相应位置垂直钻孔，直至暴露出立柱A的顶部，本发明直接作用在芯片上的应力均匀，芯片寿命延长。