一种共平面共阴极Micro-LED显示芯片及制备方法和应用

本发明公开了一种共平面共阴极Micro‑LED显示芯片及制备方法和应用，所述Micro‑LED显示芯片包括衬底以及衬底上的n‑GaN层，还包括通过n‑GaN层连接的若干芯片结构，以及DBR层、n电极和p电极；所述芯片结构由下至上包括多量子阱有源层、p‑GaN层、透明导电层；所述n电极包括与n‑GaN层接触的第一连接端以及第一外延端；所述p电极包括与透明导电层接触的第二连接端以及第二外延端；所述第一外延端和所述第二外延端平齐；所述n‑GaN层、芯片结构、n电极和p电极之间的空间由所述DBR层填充形成平面结构。本发明采用共平面共阴极的显示芯片结构，能够降低Micro‑LED显示芯片的集成难度，并增加其与未来集成电路3D封装的兼容性。