MEMS晶圆及其测试方法

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MEMS晶圆及其测试方法
申请号:CN202510046928
申请日期:2025-01-13
公开号:CN119750494A
公开日期:2025-04-04
类型:发明专利
摘要
本申请公开了一种MEMS晶圆及其测试方法,MEMS晶圆包括多个子区域,每个子区域包括阵列排布的多个芯片,多个芯片包括:m个功能芯片和n个采样芯片,功能芯片和采样芯片的结构不同,n个采样芯片中的每个采样芯片分布设置在子区域中用以在测试MEMS晶圆时作为周围功能芯片的测试参考样本,其中,m为正整数,n为正整数,m>n。本申请提出的MEMS晶圆在电性测试时,通过在子区域设置采样芯片,并以采样芯片的测试数据作为参照数据以提升MEMS晶圆的电性测试准确度。
技术关键词
芯片 半导体层 电极 衬底 对位标记 测试方法 探针设备 气流 样本 参数 中心对称 载物台 通孔 四边形 通道 多边形 阵列 椭圆形
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