半导体器件的制造方法、半导体器件、衬底处理装置及记录介质

本发明涉及半导体器件的制造方法、半导体器件、衬底处理装置及记录介质。课题是提供能够抑制在衬底与半导体芯片之间埋入底部填充材料时产生孔隙的技术。解决手段具有：在衬底上接合半导体芯片时，在所述衬底的与所述半导体芯片的接合面侧的第一面上形成微凸块的工序；在所述半导体芯片的与所述衬底的接合面侧的第二面上形成微凸块的工序；在所述第一面、所述第二面及所述微凸块上形成绝缘膜的工序；除去在所述微凸块的连接面形成的所述绝缘膜的工序；和将所述第一面及所述第二面上的所述微凸块的连接面彼此接合的工序。