一种半导体金属封装基板及其制造工艺

本发明公开了一种半导体金属封装基板及其制造工艺，其包括基板本体和第一封装层，基板本体上设置有芯片安装位和支架安装位，芯片安装位被支架安装位覆盖；第一支架形成有安装槽，安装槽与基板本体围成空腔，芯片安装位位于空腔中，且芯片本体与安装槽的槽壁不接触；第一支架于芯片安装位外的部分预设有第一定位孔，基板本体以第一定位孔为基准开设有延伸至空腔的定位槽，令定位槽的一端与第一定位孔连通，另一端与空腔连通；第一封装层覆盖第一支架，并部分伸入第一定位孔中。利用定位槽与第一定位孔相连通，释放空腔受热增加的压力，进而减少对芯片本体所潜在的损伤。故本半导体金属封装基板及其制造工艺能够有效提高芯片封装后的质量。