一种铌酸锂光子芯片的混合存算架构及其实现方法

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一种铌酸锂光子芯片的混合存算架构及其实现方法
申请号:CN202510059927
申请日期:2025-01-15
公开号:CN119511600B
公开日期:2025-03-25
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种铌酸锂光子芯片的混合存算架构及其实现方法。所述架构包括铌酸锂光路、光电转换模块以及铌酸锂忆阻器存算模块。铌酸锂光路包括光耦合入射模块、级联调制模块、光耦合出射模块、第一并行波导和第二并行波导;通过铌酸锂光路实现光电转换模块以及忆阻器存算模块之间的高频信号通信。本发明的互连基于集成光学实现,克服了传统电子存算芯片带宽不足且热管理成本过高的难点;其次,本发明可以在无外部电偏置下直接由波导中的光开关控制工作,芯片存算将只受限于忆阻器开关速度(GHz)。本发明适用于需求低功耗、高带宽的并行计算、如机器学习推理和神经计算领域。
技术关键词
光电探测器 马赫曾德尔调制器 波导 光子芯片 光电转换模块 接触区 金属电极 光电流 忆阻器 级联 光栅耦合器 接触电极 信号 合束器 分束器 单晶 半导体 纳米片
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