一种FinFET工艺的标准单元布局优化方法及相关设备

本申请公开了一种FinFET工艺的标准单元布局优化方法及相关设备，包括：根据标准单元初始布局信息、设计单元信息、物理约束信息和多目标要求构建布局优化初始模型，其中，布局优化初始模型包括决策变量、目标函数和约束条件；将布局优化初始模型进行模型映射优化操作，以获取多个决策变量子问题和子问题的约束条件；根据每个决策变量子问题进行量子映射，以获取每个决策变量子问题对应的等效哈密尔顿量；根据所有的决策变量子问题及其对应的等效哈密尔顿量通过量子近似优化算法，降低每个决策变量子问题对应的期望能量，并获取每个决策变量子问题的二进制变量解；将二进制变量解映射到标准单元的布局信息中，以获取标准单元优化布局信息。