晶圆良率影响因素分析方法和装置、电子设备与存储介质

本公开涉及晶圆良率影响因素分析方法和装置、电子设备与存储介质，所述方法包括：获取晶圆制造设备制造的批量晶圆的良率数据以及设备数据；根据批量晶圆的良率数据以及设备数据，确定产生低良率晶圆的关键腔室以及关键腔室内所制造的晶圆集合；根据关键腔室内所制造的晶圆集合中每个晶圆的良率以及制造每个晶圆时的多个运行参数的参数值，确定晶圆制造设备对晶圆良率的影响因素分析结果，所述影响因素分析结果包括所述关键腔室中导致低良率晶圆的关键运行参数以及关键运行参数对应的参数阈值，所述参数阈值表征产生低良率晶圆的参数值界限。由此，能够快速且准确地定位影响良率的关键腔室与关键运行参数，从而有利于制定相应的改进措施。