一种套刻对准标记及套刻偏移的测量方法

本发明提供一种套刻对准标记及套刻偏移的测量方法，通过量测第一套刻图形的中心点和第二套刻图形的中心点在X方向和Y方向的偏移量，从而能够得出晶圆的当层相对于晶圆的前层的套刻误差值，以该套刻误差值来判断晶圆的当层相对于晶圆的前层是否发生了偏移，此外提出一种新型结构的套刻对准标记，该新型结构的套刻对准标记形成正三角形排列的套刻图形，并且由于套刻对准标记的尺寸较小从而无须占用较大的芯片空间，使得其不仅可以摆放在划片槽中实现对曝光区域间的Overlay误差值的测量，还能够摆放在晶圆衬底上的无源区域中实现对曝光区域的Overlay误差值的测量，从而能够提高了半导体制作过程中的对准精度且满足更加广泛的制程需求。