一种红光Micro LED外延片及应用

本发明属于半导体材料的技术领域，公开了提供的红光Micro LED外延片中所述红光Micro LED外延片包括依次生长的N型限制层、多量子阱结构、P型电子阻挡结构和P型欧姆接触层；其中，所述量子阱包括阱层和垒层，且所述阱层的厚度为2.5～3nm；所述多量子阱结构为M对量子阱，2≤M≤5；所述P型电子阻挡结构包括N组超晶格单元，3≤N≤10；所述超晶格单元沿着外延生长方向依次包括富铝层、Al渐变层和低铝层；其中所述的富铝层、Al渐变层和低铝层的掺杂类型均是P型掺杂。薄化的多量子阱层结构与P型电子阻挡结构之间的协同配合，以提升Micro LED外延片小电流注入下电子和空穴辐射复合的效率，使得该LED外延片在小电流注入的情况下也具有优异的发光性能。